Mémoire RAM 8GB 2Rx8 PC3L 12800S

RAM,Jeu de puces Hynix 4GB 2Rx8 PC3 12800S DDR3 1600Mhz 4gb pour ordinateur portable Module de mémoire - Type 4G PC3 1600MHz X1pcs

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 Hynix HMT41GS6AFR8A-PB SO-DIMM PC3L-12800U 2Rx8

• Tension : 1.35V
• Technologie : DDR3
• Vitesse : 1600
• Temps de latence : 11

DDR3L-1600 SODIMM PC3L 12800S 8Go DDR3L 1600MHz 8GB PC3 12800S 204-Pin CL11 1.35V d'ordinateur Portable Mémoire RAM

• Capacité : Taille de la mémoire vive:8 Go
• Vitesse : Vitesse de la mémoire:1600 MHz

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 SQP DIMM 1600MHz 8Go PC3L 12800 2Rx8

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 637233-652

• Tension : 1.35V
• Vitesse : 1600MHz
• Temps de latence : 11T
• NON

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 Micron MT18KSF1G72AZ-1G6E1ZE PC3L-12800E 2Rx8

Mémoire PC DDR3L - KINGSTON - 8 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - Sans tampon - Non ECC

• Capacité : 8 Go
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11

Mémoire RAM SODIMM - Silicon Power - SP008GBSFU240X02 - 8Go - 2400MT/s - CL17

• Tension : 1.2V
• Technologie : DDR4
• Temps de latence : CL17

Crucial CT2K8G3S160BM 16Go Kit (8Gox2) (DDR3-DDR3L, 1600 MT-s, PC3-12800, SODIMM, 204-Pin) Mémoire pour Mac

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3 SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3-12800)
• Temps de latence : CL11

4 Go PC3- DDR3 1600 MHz PC3L 12800S 2RX8 1,35 V CL11 204 broches SODIMM Mémoire RAM pour ordinateur portable

OEM 8 Go de mémoire RAM 2Rx8 PC3L -12800s Hmt41gs6afr8 a-pb - Ordinateur portable

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 2-POWER MEM0802A SO-DIMM PC3L-12800 1600MHz 2Rx8

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 Micron MT16KTF1G64HZ-1G6E1 SO-DIMM PC3L-12800S

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 SKhynix HMT451S6BFR8A-PB SO-DIMM PC3L-12800S 1Rx8 691740-001

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 Micron MT16KTF1G64AZ-1G6P1 DIMM PC3L-12800U 2Rx8

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 G.Skill F3-10600C9S-8GXXL DIMM PC3L-12800

Barrette de mémoire RAM - CRUCIAL - 4 Go - SO DIMM 204 broches - DDR3 - 1333 MHz

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3 SDRAM
• Vitesse : 1333 MHz (PC3-10600)
• Temps de latence : CL9

Mémoire RAM DDR4 - Silicon Power - 32Go(16Gox2) 3200 MT/s - CL22 UDIMM - SP032GBLFU320X22

• Tension : 1.2V
• Technologie : DDR4.
• Vitesse : 3200 MT/s.
• Temps de latence : CL22

Mémoire RAM DDR4 - Silicon Power - 8Go 3200MT/s - SODIMM CL22 - SP008GBSFU320X02

• Tension : 1.2V
• Technologie : DDR4
• Temps de latence : CL22
• Non ECC

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 ValueTech Pro VTP08G3S1600 SO-DIMM PC3-12800 2Rx8

Barrette Mémoire 8Go RAM DDR3 SQP DIMM 1333MHz 8Go PC3L 10600U 2Rx8

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Ramaxel RMR5040MM58F9F-1600 PC3L-12800U 1600MHz 2Rx8

Barrette Mémoire 2Go RAM DDR3 Micron MT9KSF25672AZ-1G6K1ZE 2Go PC3L-12800E 1Rx8

Barrette Mémoire 2Go RAM DDR3 Micro Memory HHT10544G857105 DIMM PC3-12800 2Rx8

Mémoire RAM 2 Go DDR3L SODIMM 2Rx8 2 Go 1333 MHz PC3L-10600S 204 broches 1,35 V pour Ordinateur Portable Notebook Laptop 51CH159

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Samsung M471B5273EB0-CK0 SO-DIMM PC3-12800 1600MHz 2Rx8

• Tension : 1.5 V
• Technologie : DDR3 SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Mémoire RAM PC KINGSPEC DDR4 3200MHz 16Go Noir

• Tension : 1.35V
• Technologie : DDR4 SDRAM
• Vitesse : 3200 MHz (PC4-25600)
• Temps de latence : CL18 (18-22-22-42)

8Go RAM PC Bureau HYNIX HMT41GU6AFR8C-PB DDR3 PC3-12800U 1600Mhz 2Rx8 1.5v CL11

RAM,SAMSUNG DDR3 8GB (2pcsX4GB) 2Rx8 PC3 10600S DDR3 1333Mhz 4GB mémoire d'ordinateur portable 4G PC3 - Type 4GB 1333MHz X2pcs

Mémoire RAM Crucial CT51264BF160BJ 4Go (DDR3L, 1600 MT-s, PC3L-12800, Single Rank, SODIMM, 204-Pin) Mémoire 151755

8Go Ram Mémoire Serveur SAMSUNG M391B1G73BH0-CK0 DDR3 PC3-12800E 1600Mhz 2Rx8

• Tension : 1.5 V
• Technologie : DDR3 SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Kingston HP16D3LS1KBGH/4G SO-DIMM PC3L-12800S 1Rx8

• Tension : 1.35V
• Technologie : PC3L-12800U
• Vitesse : 1600MHz
• Temps de latence : 11

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3L Crucial CT51264BD160BJ.C8FPD DIMM PC3L-12800 1Rx8

MéMoire RAM DDR3 8GB pour MéMoire DéDiéE AMD 1.35V 1600MHz PC3-12800 240Pin DIMM Ordinateur de Bureau MéMoire RAM

RAM,SAMSUNG DDR3 8GB (2pcsX4GB) 2Rx8 PC3 10600S DDR3 1333Mhz 4GB mémoire d'ordinateur portable 4G PC3 - Type 4GB 1333MHz X4pcs

Barrette Mémoire 2Go RAM DDR3 Micron MT9KSF25672AZ-1G4D1 PC3L-12800E 1Rx8

Mémoire RAM DDR3L - Silicon Power - 16Go(8Gox2) 1600MT/s - CL11 UDIMM - SP016GLLTU160N22

• Capacité : 16Go(8Gox2)
• Technologie : DDR3L
• Temps de latence : CL11

Mémoire RAM DDR3L - Silicon Power - 8Go 1600MT/s - CL11 UDIMM - SP008GLLTU160N02

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11

Timetec Hynix IC 8GB DDR3 1333MHz PC3-10600 Unbuffered Non-ECC 1.5V CL9 2Rx8 Dual Rank 240 Pin UDIMM Bureau Mémoire RAM Module Upgra

8Go RAM PC Portable SODIMM SAMSUNG M471B1G73DB0-YK0 PC3L-12800S 1600MHz DDR3

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

HP - 647909-B21

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1333 MHz (PC3L-10600)
• Temps de latence : CL9

8Go RAM PC Portable SODIMM MICRON MT16KTF1G64HZ-1G6E1 PC3L-12800S 1600MHz DDR3

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Mémoire RAM DDR3L - Silicon Power - 8Go 1600MT/s - CL11 UDIMM - SP008GLLTU160N02

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11

8Go RAM PC Portable SODIMM SAMSUNG M471B1G73QH0-YK0 PC3L-12800S 1600MHz DDR3

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

SAMSUNG Mémoire DDR3 4Go 1600 CL11 1.35V

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Mémoire RAM SO-DIMM - TIMETEC - Memoria di una vita - 8 Go - DDR3/DDR3L 1600 MHz - CL11 1,35/1,5V

• Tension : 1.35
• Technologie : PC3L-12800 (PC3-12800)
• Vitesse : 1600 MHz
• Temps de latence : CL11

Mémoire RAM DDR4 - Silicon Power - 8Go 2666MT/s - CL19 UDIMM - SP008GBSFU266X02

• Tension : 1.2V
• Technologie : DDR4 SODIMM
• Vitesse : 2666
• Temps de latence : 19

Barrette de RAM - CRUCIAL - CT102464BF160B - 8 Go - DDR3L SDRAM - 1600 MHz

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3-12800)
• Temps de latence : CL11

PATRIOT - PV316G160C9K

• Tension : 1.5 V
• Technologie : DDR3 SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3-12800)
• Temps de latence : CL9 (9-9-9-24)

4Go RAM Samsung M378B5173EB0-YK0 DDR3 PC3L-12800U 240Pin 1600Mhz 1.35v 1Rx8 CL11

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Mémoire SODIMM DDR3 - SAMSUNG - M471B5173EB0-YK0 - 4Go - 1600 MHz - CL11

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

MicroMemory - MMD8808-8GB - DDR3L - 1600 MHz - Basse tension - mémoire enregistré - ECC

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• ECC

4Go RAM PC Portable SODIMM Samsung M471B5273CH0-YK0 PC3L-12800S 1600MHz DDR3

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

SILICON POWER DDR3L 4 Go SO DIMM 204 broches 1600 MHz - PC3L-12800 1.35 V mémoire sans tampon non ECC

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Non ECC

Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Mémoire DDR3L TRANSCEND - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - ECC

• Tension : 1.35 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)

Barrette Mémoire 4Go RAM DDR3 Samsung M378B5173EB0-YK0 DIMM PC3L-12800U

• Tension : 1.35 / 1.5 V
• Technologie : DDR3L SDRAM
• Vitesse : 1600 MHz (PC3L-12800)
• Temps de latence : CL11 (11-11-11)